Samsung revela memória V-NAND 3D SSD de sexta geração

A Samsung Electronics, líder mundial em tecnologia de memória avançada, anunciou a produção em massa dos seus módulos SATA V-NAND SSD de 256GB de próxima geração, baseados em mais de 100 camadas de células de 3-Bit, a serem enviados para fabricantes globais de PC. V-NAND Samsung levou apenas 13 meses a construir, cortando o seu ciclo de produção em quatro meses, enquanto produzia os módulos mais rápidos, mais eficientes em termos energéticos e mais fáceis de fabricar.

A sexta geração de módulos Samsung V-NAND apresentam as taxas de transferência de dados mais rápidas da indústria, demonstrando a vantagem de fabrico da empresa que leva a memória 3D para o nível seguinte. Graças à tecnologia única de “gravação de canais” da Samsung, os novos cristais V-NAND têm cerca de 40% mais células do que os módulos de memória 9x bloco único da geração anterior. Isto é conseguido através da formação de uma estrutura de 136 camadas condutoras de electricidade, seguida de perfuração vertical de furos cilíndricos de cima para baixo, resultando em células tridimensionais homogéneas com tecnologia de armadilha de carga de flash CTF .

À medida que a altura do sensor aumenta em cada célula, os chips flash NAND tornam-se mais propensos a erros e atrasos de leitura. Para ultrapassar esta limitação, a Samsung introduziu uma concepção de circuito optimizada em termos de velocidade que atinge velocidades máximas de transferência inferiores a 450 microssegundos µs para operações de escrita e inferiores a 45 µs para operações de leitura. Em comparação com a geração anterior, o novo desenho melhora o desempenho em mais de 10% e reduz o consumo de energia em mais de 15%.

Soluções V-NAND de próxima geração alcançarão mais de 300 camadas através da combinação de três células de sexta geração sem comprometer o desempenho ou a fiabilidade do chip, graças a um design optimizado. Além disso, o chip de 256GB da próxima geração requer apenas 670 milhões de canais de passagem, em comparação com 930 milhões em soluções da geração anterior. Reduziu o tamanho das aparas e reduziu o número de etapas de produção, aumentando a eficiência de fabrico em 20%.

Utilizando características de alta velocidade e baixa potência, a Samsung não só pretende expandir a utilização das suas soluções 3D V-NAND em dispositivos como gadgets móveis e servidores empresariais, mas também trazê-los para o mercado automóvel, onde a alta fiabilidade é fundamental.

“Ao incorporar tecnologia avançada de memória 3D em modelos de produção em massa, somos capazes de introduzir linhas de memória que têm uma velocidade e consumo de energia significativamente superiores”, disse Kye Hyun Kyung, vice-presidente de Memória e Tecnologia Flash da Samsung Electronics. – Ao encurtar o ciclo de desenvolvimento dos produtos V-NAND da próxima geração, esperamos expandir agressivamente o mercado para as nossas soluções V-NAND de alta velocidade e alto desempenho de 512 Gigabit.

A Samsung planeia lançar 512 gigabytes triplos V-NAND SSDs e eUFS no segundo semestre do ano, após o lançamento do SSD de 250GB. A empresa pretende também expandir a produção de soluções V-NAND de alta velocidade de sexta geração na sua fábrica de Pyeongtaek, na Coreia, a partir do próximo ano.