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Toshiba Memory Europe divulga a nova geração de interface serial NAND

A Toshiba Memory Europe revelou hoje a segunda geração de memória flash NAND para aplicações incorporadas, com maior capacidade e melhor desempenho. Os novos produtos Serial Interface NAND são compatíveis com a popular interface SPI e são adequados para uma vasta gama de aplicações de consumo, industriais e de comunicações, graças às suas elevadas taxas de transferência de dados. O envio de amostras de teste começa hoje e a produção em massa está agendada para Outubro deste ano.

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À medida que os dispositivos IoT e de comunicação se tornam mais pequenos, a procura de memória flash de formato pequeno que possa proporcionar velocidades de leitura/gravação rápidas está a crescer. Graças à sua compatibilidade com a interface SPI amplamente utilizada, os produtos da gama Serial Interface NAND podem ser utilizados como memória flash SLC NAND com um pequeno número de pinos e apresentam alta capacidade e tamanho compacto.

Os novos produtos NAND de interface série de segunda geração proporcionam taxas de transferência de dados mais rápidas e desempenho mais rápido do que os produtos NAND de interface série de primeira geração, incluindo suporte para 133MHz de frequência de operação e modo de programa x4. Além disso, para satisfazer a procura de maiores capacidades de memória, a nova gama inclui uma solução de 8Gb 1GB . Todos os pacotes de chips estão disponíveis em pacotes de chips de 8 pinos WSON com dimensões de 6 x 8mm.

Características principais

– 1 – 8Gb de capacidade

– 2Kbit 1/2Gb e 4Kbit 4/8Gb tamanhos de página de memória para melhor desempenho de leitura/gravação de SO

– x4 Modos de programação e leitura para uma melhor velocidade de acesso e desempenho de programação

– O ECC e o apoio à protecção de dados detecta a inversão de bits e protege os blocos atribuídos

– Parâmetro Função de página para dados detalhados do dispositivo

“Com a crescente complexidade e requisitos de tamanho das aplicações incorporadas, os designers precisam da flexibilidade e desempenho que a nova interface serial NAND flash memory pode proporcionar”, disse Axel Stoermann, vice-presidente da Toshiba Memory Europe. – Como inventor do flash NAND e líder em memória flash 3D, a Toshiba é o produto de eleição para tecnologia inovadora, tamanho compacto e fiabilidade que beneficia em última análise os utilizadores finais.

Os envios de chips de teste começam hoje, com envios em massa do produto programados para Outubro de 2023

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João Pereira

Desde que me lembro, sempre fui fascinado pela beleza do mundo ao meu redor. Quando criança, sonhava em criar espaços que não apenas encantassem, mas também influenciassem o bem-estar das pessoas. Esse sonho tornou-se minha força motriz quando decidi seguir o caminho do design de interiores.

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Comments: 3
  1. Carlos

    Qual é a principal vantagem da nova geração de interface serial NAND da Toshiba Memory Europe em comparação com as versões anteriores?

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  2. Beatriz Pinto

    Você pode me dar mais detalhes sobre essa nova geração de interface serial NAND da Toshiba Memory Europe? Quais são as principais melhorias em relação à geração anterior? Quais são as aplicações práticas que essa nova interface pode trazer? Estou curioso para saber como essa inovação pode impactar o mercado de tecnologia.

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    1. Joana Costa

      A nova geração de interface serial NAND da Toshiba Memory Europe traz várias melhorias em relação à geração anterior. Essa nova interface possui uma velocidade de transferência de dados mais rápida, permitindo uma maior eficiência de processamento. Além disso, a nova interface também oferece uma maior capacidade de armazenamento, possibilitando o armazenamento de grandes quantidades de dados.

      As aplicações práticas dessa nova interface são diversas. Ela pode ser utilizada em dispositivos eletrônicos, como smartphones, tablets e laptops, para melhorar o desempenho e o armazenamento desses dispositivos. Além disso, essa nova interface também pode ser utilizada em sistemas de armazenamento em nuvem, servidores de dados e data centers, pois oferece uma solução de armazenamento de alto desempenho e confiável.

      Essa inovação pode impactar positivamente o mercado de tecnologia, pois permite o desenvolvimento de dispositivos mais avançados e eficientes. Com uma velocidade de transferência de dados mais rápida e uma maior capacidade de armazenamento, os dispositivos eletrônicos poderão executar tarefas mais rapidamente e armazenar grandes quantidades de dados de forma fácil e segura. Isso proporcionará uma melhor experiência para o consumidor e impulsionará avanços em áreas como inteligência artificial, realidade virtual e internet das coisas.

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